Micron і Sony створили чіп швидкої пам'яті ReRAM

Фахівці компаній Micron Technology і Sony створили нову мікросхему пам'яті типу ReRAM (resistive random access memory), щільність якої складає 16 Гбіт. Чіп розрахований на випуск за нормами 27 нм. Дану розробку представили в рамках нещодавно пройшла ISSCC 2014.

Розробники стверджують, що дана пам'ять займе місце в ніші між DRAM і NAND. Мікросхема в режимі читання характеризується затримкою 2 мкс, а в режимі запису - 10 мкс. Крім того, відомо, що швидкодіюча пам'ять ReRAM вже була створена раніше, але її густина була набагато менше. В даному випадку, образно кажучи, вдалося поєднати швидкість DRAM і щільність NAND.

Корпорація Sony вже розглядає можливі варіанти застосування пам'яті ReRAM, однак коли приблизно вона з'явиться у серійних пристроях - невідомо.

• Дуже гарна якість зображення
• Хороша функціональність
• Низьке енергоспоживання

• Плеєр підтримує мало відеоформатів